Высоковязкая диэлектрическая паста для различных поверхностей.
Хранить в крытых складских помещениях, в упаковке изготовителя, вдали от источников воспламенения, тепла, искр, открытого огня, окислителей, кислот и щелочей. Температурные условия не ограничены. Предел по количеству ярусов в штабеле не более 4.
Применяется для:
- Поверхностной защиты высоковольтных керамических или стеклянных изоляторов, для снижения смачиваемости изделий из ситаллов, для герметизации p-n переходов и заполнения корпусов полупроводниковых приборов.
- Придает высокие диэлектрические характеристики поверхностям различных электронных и электротехнических изделий (например печатных плат), от которых требуется работа при крайних температурах (от -60 до +200°С) в условиях высокой влажности и промышленных загрязнений.
- Поверхностная защита высоковольтных керамических или стеклянных изоляторов.
- Снижение смачиваемости изделий из ситаллов.
- Герметизация p-n переходов и заполнение корпусов полупроводниковых приборов.
Параметры выходного контроля в соответствии с ГОСТ 15975-70, и.1-4 ОКП 22 5733 0303
Описание параметра | Метод испытаний | Стандартные показатели |
Внешний вид | п.3.1 наст. ГОСТ | Пастообразный однородный продукт от светло-серого до серо-голубоватого цвета |
Механические примеси | п.3.1 наст. ГОСТ | Отсутствие |
Пенетрация, усл. ед.: а) до перемешивания, не менее | п.3.2 наст. ГОСТ | 215 |
Пенетрация, усл. ед.: б) после перемешивания | п.3.2 наст. ГОСТ | 230 - 300 |
Коллоидная стабильность после выдержки при (200 ± 5)°С в течение 24ч., %, не менее | п.3.3 наст. ГОСТ | 92 |
Электрическая прочность при частоте 50 Гц, кВ/мм, не менее: а) при (20±5)°С; б) при (150±2)°С; в) после воздействия среды с относительной влажностью в | п.3.5 наст. ГОСТ | а) 15; б) 10; в) 10 |
Удельное обьемное электрическое сопротивление, Ом*см, не менее: а)при (20±5)°С; б) при (150±2)°С; в) после воздействия среды с относительной влажность | п.3.6 наст. ГОСТ | а) 1 х10 в 14 ст.; б) 1 х10 в 12 ст.; в) 1 х10 в 12 ст. |
Тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 1 мГц, не более: а)при (20±5)°С; б) при (150±2)°С; в)после воздействия среды с относительной влажность | п.3.7 наст. ГОСТ | а) 0,005; б) 0,007; в) 0,007 |
Диэлектрическая проницаемость при частоте 1 мГц, не более:а)при (20±5)°С; б) при (150±2)°С; в)после воздействия среды с относительной влажностью возду | п.3.7 наст. ГОСТ | а) 2,8; б) 2,8; в) 2,8 |